化学机械抛光机

关键参数：适用于8吋、6吋及4吋晶圆；分区压力控制；抛光盘转速范围≥0~200 rpm；抛光垫修整器的下压力以及每个区域的修整时间均可调整；修整器在线修整速度10 sweep/min；使用氧化物recipe晶圆抛光的晶圆内均匀性（WIWNU）≤5%，晶圆间均匀性（WTWNU）≤3%。

主要功能：晶圆表面平坦化。抛光介质种类：Si、SiO₂、Si₃N₄、a-Si、Poly-Si，各类化合物半导体、压电材料等。