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关键参数:适用于6吋以下晶圆;可搭载多种蒸发源(EB式、电阻式、EB+电阻式);EB系统配置:10 kV;工艺极限真空:3×10-5 Pa;基片加热温度≤350℃;可实现薄膜厚度6吋片内、片间均匀性≤±3%。
主要功能:蒸发沉积金属及非金属薄膜,可实现小批量制备,支持金属剥离工艺。