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磁控溅射系统

发布日期：2025-07-01

关键参数：适用于8吋及以下晶圆；紧凑型单腔4靶位load-lock式高真空射频磁控溅射装置；射频源最大功率：1000 W；直流源最大功率：2000 W；6吋片内及片间均匀性≤±5%；工艺中支持溅射靶到衬底的距离可调；衬底加热温度最高300℃。

主要功能：沉积Ti、Al、Mo、Ni、TiN等薄膜。

  • 联系地址：电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A栋1-2层

    官方网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse

    联系电话：028-65490892

  • 预约网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse/customer/index/index.html

    联系邮箱：icie@uestc.edu.cn

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