等离子体辅助原子层沉积系统

发布日期:2025-07-01

关键参数:适用于8吋及以下晶圆;具备等离子体增强和热法两种沉积模式,等离子体模式加热温度:室温~320℃;热法模式加热温度:室温~420℃;前驱体管路温度:室温~200℃;6吋片内均匀性±1%以内。

主要功能:沉积HfO2、TiO2、Al2O3、TiN、AlN等多种超薄并具有高保形性、高台阶覆盖能力的介质薄膜。