电感耦合等离子体化学气相沉积系统

关键参数：适用于8吋及以下晶圆；气路：5%SiH₄/He、SF₆、N₂、O₂、He、Ar；最大射频功率：300 W（偏压），3000 W（ICP）；载片台温度≤400℃；SiO₂沉积速率≥50 nm/min；SiN_x沉积速率≥30 nm/min；6吋片内及片间均匀性±5%以内。

主要功能：高深宽比结构中的介质薄膜填充；低温沉积SiO₂、SiN_x、a-Si等薄膜。