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等离子体增强化学气相沉积系统

发布日期：2025-07-01

关键参数：适用于8吋及以下晶圆；气路：5%SiH4/Ar、NH3、CF4、N2O、N2、Ar；load-lock腔和自动传片系统；最大射频功率：300 W；SiO2沉积速率>40 nm/min；SiNx沉积速率>10 nm/min；6吋片内及片间均匀性±4%以内。

主要功能：沉积SiO2、SiNx、a-Si等薄膜。

  • 联系地址：电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A栋1-2层

    官方网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse

    联系电话：028-65490892

  • 预约网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse/customer/index/index.html

    联系邮箱：icie@uestc.edu.cn

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