电子束曝光系统

关键参数：适用于4吋及以下晶圆，兼容碎片；分辨率8 nm；电子枪加速电压50 kV；束电流范围5 pA~40 nA；最小束斑尺寸2.5 nm；支持100 μm×100 μm（场拼接精度≤20 nm，套刻精度≤20 nm）和500μm×500 μm（场拼接精度≤30 nm，套刻精度≤25 nm）的双写场模式。

主要功能：适用于最小8 nm的各种微纳图形加工。