双面对准紫外光刻机

关键参数：适用于6吋及以下晶圆，兼容碎片；分辨率0.8 μm；套刻精度：正面±0.5 μm，背面±1 μm；UV-LED光源，i-line (365 nm)、h-line (405 nm)、g-line (436 nm)；曝光光强：60 mW/cm²@365 nm，140 mW/cm²@全波长；光强均匀性≤±2.5%；掩膜版尺寸：7/5/4吋。

主要功能：具有顶部和底部对准系统，适用于最小0.8 μm微纳图形加工。