通知公告
平台服务
薄膜
光刻
刻蚀
注入
高温工艺
平坦化
湿法工艺
分析表征
封装
测试
中心概况
实验教学
人才培养
师资队伍
关键参数：适用于6吋、4吋晶圆，基片厚度300 μm~1000 μm；涂胶均匀性（胶厚1 μm）片内<±1%，片间<±1.5%，批次间<±3%；显影均匀性（胶厚1 μm，L&S：1 μm）片内<±3%，片间<±3%，批次间<±5%。
主要功能：适用于传统光刻胶（i-line、g-line）的涂胶、增粘、烘烤、显影过程。
微信公众号