深硅/介质高密度等离子体刻蚀系统

关键参数：适用于8吋及以下晶圆，兼容碎片；偏压射频频率400 kHz，功率40~400 W；ICP频率13.56 MHz，功率500~2800 W；刻蚀均匀性<±5%；刻蚀垂直度90°±1°(Si)；>88°(氧化物、氮化物)；深硅刻蚀深宽比≥10:1；支持Bosch工艺；双腔室可串行或并行刻蚀。

主要功能：腔室1主要用于深硅以及6、8吋浅硅刻蚀；腔室2主要用于氧化物、氮化物基等新型半导体/介质功能材料的独立或复合刻蚀。