深硅反应离子刻蚀机

关键参数：适用于4吋及以下晶圆，兼容碎片；偏压射频频率400 kHz，功率1.25 kW；ICP频率13.56 MHz，功率3 kW；刻蚀均匀性面内<±5%；面间<±5%；刻蚀垂直度90°±1°(TSV)，90°±1°(沟槽)；92°±1°(Via)。

主要功能：主要用于4吋及以下硅基材料（如Si、SiO₂、SiN_x等）的深/浅硅刻蚀。