电感耦合等离子体刻蚀机-2号机

关键参数：适用于8吋及以下晶圆，兼容碎片；偏压射频频率13.56 MHz，功率600 W；ICP频率2 MHz，功率3 kW；刻蚀均匀性面内≤±4%，面间≤±3%；刻蚀垂直度>88°(Al)，>70°(Pt)，90°±2°(GaAs)。

主要功能：主要用于GaN刻蚀；也可用于Pt、Al、Au、Ti、W等金属材料以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体刻蚀。