电感耦合等离子体刻蚀机-1号机

关键参数：适用于8吋及以下晶圆，兼容碎片；偏压射频频率13.56 MHz，功率300 W；ICP频率2 MHz，功率3 kW；刻蚀均匀性面内≤±5%，面间≤±3%；刻蚀垂直度90°±1°(Si)，>88°(SiO₂)，>87°(SiN_x)；支持Bosch工艺及硅冷冻刻蚀工艺。

主要功能：主要用于SiC以及Si、SiO₂、SiN_x等硅基材料的刻蚀，支持高深宽比结构的深硅刻蚀。