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晶圆减薄机

发布日期：2025-07-08

关键参数：兼容6、8吋晶圆；片内厚度偏差：TTV≤3 μm；片间厚度偏差：WTW≤3 μm；双头测量仪测量精度：±0.5 μm; 双头测量仪分辨率： 0.1 μm;精磨粗糙度Ra：0.02 μm。

主要功能：用于硅、化合物半导体、硅基LED、钽酸理、铌酸锂、陶瓷等电子元件、环氧树脂等晶圆和材料的减薄。

  • 联系地址：电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A栋1-2层

    官方网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse

    联系电话：028-65490892

  • 预约网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse/customer/index/index.html

    联系邮箱：icie@uestc.edu.cn

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