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高温氧化扩散炉

发布日期：2025-07-03

关键参数：适用于6吋晶圆；工作温度：400~1280℃；控制精度≤±0.5℃@800~1280℃；最大升温速率：15℃/min；两路气体N2（30 L/min）、O2（20 L/min）；恒温区长度为350 mm。

主要功能：用于半导体器件制造过程中的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

  • 联系地址：电子科技大学清水河校区成电国际创新中心A栋1-2层

    官方网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse

    联系电话：028-65490892

  • 预约网址：https://dy.uestc.edu.cn/icse/customer/index/index.html

    联系邮箱：icie@uestc.edu.cn

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