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关键参数：适用于8吋及以下晶圆，提供底盘；温度范围：300~1100℃，精度≤±2℃；升温速度：100℃/s；程序可控；真空和常压可用；三路MFC工艺气体；图形化控制监控。
主要功能：用于离子注入后的快速退火。可用于晶圆的热处理、掺杂激活和缺陷修复，以提高器件性能和可靠性。
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