单面湿法腐蚀机

关键参数：适用于6吋、4吋晶圆；腐蚀均匀性（针对1 μm的Al膜和1 μm的SiO₂膜）：片内≤2%，片间≤3%；单片腔体；颗粒增加值≤30个/片@0.2 μm(6吋)。

主要功能：主要用于对半导体材料（如Si、GaAs等）、介质材料（如SiO₂、SiN_x等）进行选择性腐蚀。适合用于刻蚀的反面保护工艺。适合不同的双面器件工艺。